5.5 4H-SiC半超结VDMOSFET的单粒子效应

• 书名：纳米CMOS器件及电路的辐射效应
• 作者名：刘保军 刘小强 刘忠永
• 本章字数：4694字
• 更新时间：2025-02-17 08:13:57